层间介质层性能的测试结构和测试方法

摘要

本发明提出了一种层间介质层性能的测试结构和测试方法，在栅极正上方形成用于收集由等离子体带来的电荷，并保证栅极和天线由层间介质层隔离，当天线接收的电荷积累到层间绝缘层无法承受的量时，电荷就会穿过层间绝缘层，对半导体器件造成损害，在检测时，通过检测半导体器件的漏电流和阀值电压便能够判断半导体器件是否被损害，进而判断层间介质层是否被击穿，实现对层间介质层耐等离子体损伤能力的检测。

主权项

一种层间介质层性能的测试结构，用于对层间介质层耐等离子体损伤能力的检测，所述结构包括：半导体器件、层间介质层、通孔连线、金属连线和天线；其中，所述半导体器件设有栅极、源极、漏极和基极；所述层间介质层形成于所述半导体器件表面；所述金属连线形成于所述层间介质层的表面，包括栅极金属连线、源极通孔连线、漏极通孔连线和基极通孔连线；所述栅极、源极、漏极和基极通过通孔连线分别连接所述栅极金属连线、源极通孔连线、漏极通孔连线和基极通孔连线；所述天线形成于所述层间介质层的表面位于所述栅极的正上方，并与所述半导体器件以及金属连线相隔离。