发明名称 |
对准图形及晶圆 |
摘要 |
本发明揭示了一种对准图形,用于在测量机台上对准晶圆,所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域,相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离,所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。本发明还提供包括所述对准图形的晶圆。在本发明的对准图形中,所述投影曝光区域边侧的所述切割道内没有其他干扰图形,并且位于所述切割道与所述对准图形之间的对比度高,在测量机台的光学显微镜下,所述对准图形与背景颜色黑白分明,可以精确定位晶圆的位置,提高量测效率。 |
申请公布号 |
CN103872022A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201410110062.8 |
申请日期 |
2014.03.24 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
吴佳宏 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种对准图形,其特征在于,用于在测量机台上对准晶圆,所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域,相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离,所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |