发明名称 对准图形及晶圆
摘要 本发明揭示了一种对准图形,用于在测量机台上对准晶圆,所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域,相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离,所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。本发明还提供包括所述对准图形的晶圆。在本发明的对准图形中,所述投影曝光区域边侧的所述切割道内没有其他干扰图形,并且位于所述切割道与所述对准图形之间的对比度高,在测量机台的光学显微镜下,所述对准图形与背景颜色黑白分明,可以精确定位晶圆的位置,提高量测效率。
申请公布号 CN103872022A 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201410110062.8 申请日期 2014.03.24
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 吴佳宏
分类号 H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 王宏婧
主权项 一种对准图形,其特征在于,用于在测量机台上对准晶圆,所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域,相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离,所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号