| 发明名称 | 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法 | ||
| 摘要 | 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000-5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其中：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。本发明的优点是本工艺方法简单，实用，可满足人们对高电阻率区熔单晶硅的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN103866376A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210539425.0 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 | 发明人 | 李明飞;刘志伟;闫志瑞;陈海滨;付斌;黄龙辉 |
| 分类号 | C30B13/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 郭佩兰 |
| 主权项 | 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000‑5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其特征在于：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||