| 发明名称 | 响应于外部地址来替代有缺陷存储器块 | ||
| 摘要 | 本发明提供电子系统及操作存储器装置的方法。在一个此种实施例中，存储器装置(100)接收外部地址，所述外部地址代替所述存储器装置(100)的存储器块序列(210)中的有缺陷存储器块(210<sub>2</sub>)而寻址所述存储器块序列(210)中的无缺陷存储器块(210<sub>3</sub>)以使得所述无缺陷存储器块(210<sub>3</sub>)替代所述有缺陷存储器块(210<sub>2</sub>)。所述无缺陷存储器块(210<sub>3</sub>)为所述存储器块序列(210)中跟在所述有缺陷存储器块(210<sub>2</sub>)后面的可用于替代所述有缺陷存储器块(210<sub>2</sub>)的紧接无缺陷存储器块。 | ||
| 申请公布号 | CN102216913B | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN200980146274.9 | 申请日期 | 2009.11.12 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 维索·沙林;德隆·H·恩古耶;威廉·H·瑞德凯 |
| 分类号 | G06F12/06(2006.01)I;G06F12/14(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种操作存储器装置的方法，其包含：接收外部地址，所述外部地址代替所述存储器装置的存储器块序列中的有缺陷存储器块而寻址所述存储器块序列中的无缺陷存储器块以使得所述无缺陷存储器块替代所述有缺陷存储器块；以及基于所述无缺陷存储器块的实际位置向替代所述有缺陷存储器块的所述无缺陷存储器块施加电压延迟校正；其中所述无缺陷存储器块为所述存储器块序列中跟在所述有缺陷存储器块后面的可用于替代所述有缺陷存储器块的紧接无缺陷存储器块。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||