瞬变电压抑制器和方法

摘要

瞬变电压抑制器和用于制造瞬变电压抑制器的方法，该瞬变电压抑制器在接近齐纳区的栅极区的一部分中具有的掺杂物或载流子浓度不同于在远离齐纳区的栅极区的一部分中的掺杂物浓度。

主权项

一种用于制造瞬变电压抑制器的方法，包括：提供具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面的半导体基底；由所述半导体基底形成有源区，所述有源区具有从所述第一主表面延伸的齐纳区和远离所述齐纳区从所述第二主表面延伸的部分；在所述齐纳区中形成第一栅极区并在所述有源区远离所述齐纳区的从所述第二主表面延伸的部分中形成第二栅极区；以及将所述第一栅极区的掺杂物浓度调节成不同于所述第二栅极区的掺杂物浓度。