| 发明名称 | 一种深紫外二极管外延片和芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种深紫外二极管外延片。所述外延片，从下至上依次包括：衬底，低温AlN成核层，高温AlN本征层，n型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层，Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N/Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N多量子阱层、p型Al<sub>u</sub>Ga<sub>1-u</sub>N电子阻挡层、p型GaN层。本实用新型还提供一种基于所述外延片制备的芯片。本实用新型提供的外延片和芯片选择采用具有高紫外光反射性的Al材料作为电极材料，不但可以部分消除受主型Al阳离子空位缺陷，还可将大部分紫外光反射回去。 | ||
| 申请公布号 | CN203659914U | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201320641361.5 | 申请日期 | 2013.10.17 |
| 申请人 | 武汉光电工业技术研究院有限公司 | 发明人 | 方妍妍;吴志浩;戴江南;陈长清 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 一种深紫外二极管外延片，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上的低温AlN成核层，设置在所述低温AlN成核层上的高温AlN本征层，设置在所述高温AlN本征层上的n型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层，设置在所述n型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层上的Al<sub>y</sub>Ga1<sub>‑y</sub>N/Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N多量子阱层、设置在所述Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N/Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N多量子阱层上的p型Al<sub>u</sub>Ga<sub>1‑u</sub>N电子阻挡层、设置在所述p型Al<sub>u</sub>Ga<sub>1‑u</sub>N电子阻挡层上的p型GaN层。 | ||
| 地址 | 430075 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号 | ||