| 发明名称 | 外延层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种外延层的形成方法，步骤包括：1）在硅衬底上生长一层外延层；2）刻蚀掉外延层中的晶格缺陷，同时保证外延层在刻蚀后仍有残留；3）在刻蚀后的外延层上再生长一层相同材质的外延层；4）刻蚀掉步骤3）新生长的外延层中的晶格缺陷，同时保证最新生长的外延层在刻蚀后仍有残留；5）重复步骤3）～4），直至外延层的总厚度达到所要求的厚度。该方法通过循环生长外延层和刻蚀晶格缺陷，显著降低甚至完全消除了硅锗、硅锗碳或硅外延层中的晶格缺陷，从而保证了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103871849A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210550520.0 | 申请日期 | 2012.12.18 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘继全 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 外延层的形成方法，其特征在于，步骤包括：1）在硅衬底上生长一层外延层；2）对外延层进行刻蚀，将外延层中的全部或大部分晶格缺陷刻蚀掉，同时保证外延层在刻蚀后仍有残留；3）在刻蚀后的外延层上再生长一层相同材质的外延层；4）对步骤3）新生长的外延层进行刻蚀，将最新生长的外延层中的全部或大部分晶格缺陷刻蚀掉，同时保证最新生长的外延层在刻蚀后仍有残留；5）重复步骤3）～4），直至外延层的总厚度达到所要求的厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||