发明名称 各向异性导电膜及其制造方法、半导体装置及其制造方法
摘要 本文公开了各向异性导电膜、其制备方法、包含它的半导体装置和制造所述半导体装置的方法。所述各向异性导电膜包括基膜和粘合剂层,所述基膜满足5,000kgf/cm<sup>2</sup>或更小的储能模量和在100℃至150℃下的50ppm/℃或更小的热膨胀系数中的至少一个条件,所述粘合剂层形成在所述基膜上并包含导电颗粒。
申请公布号 CN103865415A 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201310556923.0 申请日期 2013.11.11
申请人 第一毛织株式会社 发明人 崔贤民;朴永祐
分类号 C09J7/02(2006.01)I;C09J175/14(2006.01)I;C09J9/02(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 C09J7/02(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 康泉;王珍仙
主权项 一种各向异性导电膜,包括:基膜和粘合剂层,所述基膜满足5,000kgf/cm<sup>2</sup>或更小的储能模量和在100℃至150℃下的50ppm/℃或更小的热膨胀系数中的至少一个条件,所述粘合剂层形成在所述基膜上并包含导电颗粒。
地址 韩国庆尚北道