发明名称 |
用于半导体制造的氧化炉保温桶及氧化方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于半导体制造的氧化炉保温桶及氧化方法,该保温桶包括底座、固定于底座上的限位柱、至少一片鳍片,该鳍片被限位柱阻挡以防止掉落并平行层叠于底座上,该鳍片之间具有一间隙。本发明的保温桶具有可拆卸式的一片或多片鳍片,通过支柱安装在保温桶的底座上,根据不同湿氧工艺温度需求来调整鳍片的数量,能有效防止低工艺温度时水蒸汽形成的水珠对工艺和器件产生的不良影响,同时避免高工艺温度对工艺门密封部件造成的损伤。 |
申请公布号 |
CN103871940A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201410117707.0 |
申请日期 |
2014.03.27 |
申请人 |
北京七星华创电子股份有限公司 |
发明人 |
林伟华;兰天;宋辰龙;王兵 |
分类号 |
H01L21/673(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/673(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种用于半导体制造的氧化炉保温桶,其特征在于:其包括底座、固定于底座上的限位柱、数片鳍片,该限位柱包括至少三根设于底座边缘并限位该鳍片边缘的支柱和/或至少一根设于底座上并穿过该鳍片上预设的孔的支柱,该鳍片被限位柱阻挡以防止掉落并平行层叠于底座上,该鳍片的上表面和/或下表面具有数个等高的凸出部,以与上下相邻的鳍片形成固定间隙。 |
地址 |
100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号 |