| 发明名称 | 半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法。该半导体处理装置，包括一处理室、一基座及一喷头。基座位于处理室中并用以承载半导体晶圆。喷头用以供应处理气体至处理室。本发明同时还提供了一种处理半导体晶圆的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103871815A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210532591.8 | 申请日期 | 2012.12.11 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 罗兴安 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种半导体处理装置，其特征在于其包括：一处理室；一基座，位于该处理室内并用以承载一半导体晶圆；以及一喷头，用以供应一处理气体至该处理室，该喷头具有多个可调节出口，用以供应一种或多种处理气体至该处理室。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||