发明名称 |
Oxidfilm-Niederschlagsverfahren und Oxidfilm-Niederschlagsvorrichtung |
摘要 |
Diese Erfindung gibt ein Verfahren zur Bildung eines Oxidfilmes an, durch das die normale Bildung eines Oxidfilmes immer erzielt wird ohne Einfluss einer Änderung in der Atmosphäre, wodurch ein Metalloxidfilm mit niedrigem Widerstand gebildet werden kann und eine hohe Effizienz der Filmbildung erzielt wird. Erfindungsgemäß wird ein Nebel aus einer Ausgangsmateriallösung gebildet, die eine Alkylverbindung enthält und auf ein Substrat (100) in der Atmosphäre ejiziert wird. Zusätzlich wird ein Oxidationsmittel, das eine Oxidationswirkung auf die Alkylverbindung auswirkt, zu dem Nebel der Ausgangsmateriallösung geführt. Durch die oben beschriebenen Verfahren wird ein Oxidfilm auf dem Substrat dieser Erfindung gebildet. |
申请公布号 |
DE112011105618(T5) |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
DE201111105618T |
申请日期 |
2011.09.13 |
申请人 |
TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORP. |
发明人 |
ORITA, HIROYUKI;SHIRAHATA, TAKAHIRO;HIRAMATSU, TAKAHIRO |
分类号 |
C01B13/34;C23C16/44 |
主分类号 |
C01B13/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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