一种应用于FINFET结构的化学机械研磨方法

摘要

本发明提供一种应用于FINFET结构的化学机械研磨方法，包括：研磨掉氮化硅上的氧化物；研磨氧化物和氮化硅，并收集电机的扭矩电流信号；当扭矩电流信号突变时，抓取研磨终点，停止在缓冲垫氧化层上；予以一定量的过研磨时间，完成研磨，形成FinFET结构。本发明的技术方案简便易行，利用化学机械研磨可以完全去除氮化硅，并停止在缓冲垫氧化层上，达到无需湿法对氮化硅的去除，无需湿法/干法刻蚀对氧化物的去除的效果。

主权项

一种应用于FinFET结构的化学机械研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供待研磨晶圆，所述晶圆的STI区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层、氮化硅和氧化物，所述晶圆的其他区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层和氧化物层，位于STI区域的缓冲垫氧化层的顶部高于其他区域中的缓冲垫氧化层的顶部；步骤2，研磨掉氮化硅上的氧化物；步骤3，研磨氧化物和氮化硅，并收集电机的扭矩电流信号；步骤4，当扭矩电流信号突变时，抓取研磨终点，停止在缓冲垫氧化层上；步骤5，予以一定量的过研磨时间，完成研磨，形成FinFET结构。