发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件,其通过使用分离地形成在第一焊盘结构和第二焊盘结构中的非对称阶梯形状来形成字线的焊盘部分从而至少局部实现了接触区面积减小。与本领域已知的制造工艺相比,接触区面积减小。这使得器件集成度提高、制造工艺复杂性减小。 |
申请公布号 |
CN103871994A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201310166162.8 |
申请日期 |
2013.05.08 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
李起洪;皮昇浩;孙玄洙 |
分类号 |
H01L23/492(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/492(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;许伟群 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:n个第一焊盘结构,所述第一焊盘结构包括设置成阶梯形结构的第一层叠层,所述第一焊盘结构之间形成有台阶差,且n为大于或等于1的自然数;n个第二焊盘结构,所述第二焊盘结构包括设置成阶梯形结构的第二层叠层,所述第二焊盘结构之间形成有台阶差;以及单元结构,所述单元结构设置在所述第一焊盘结构与所述第二焊盘结构之间;其中,在第一焊盘结构中,至少一个最上台阶和至少一个最下台阶分别包括一个第一层叠层,而其他台阶包括2n个第一层叠层;以及在所述第二焊盘结构中,至少一个最上台阶和至少一个最下台阶分别包括一个第二层叠层,而其他台阶包括2n个第二层叠层。 |
地址 |
韩国京畿道 |