制造半导体氧化铟-层的方法，按照该方法制造的氧化铟-层及其应用

摘要

本发明涉及制造半导体氧化铟-层的方法，在该方法给衬底涂覆一种含有a)至少一种铟醇盐和b)至少一种溶剂的液体的无水化合物，任选地干燥处理，并且在大于250℃的温度下对衬底进行热处理；和按照该方法制造的氧化铟-层及其应用。

主权项

制造半导体氧化铟‑层的方法，在该方法中给衬底涂覆含有a）至少一种铟醇盐和b）至少一种溶剂的液体的无水组合物，任选地干燥，并且在大于250℃的温度下对衬底进行热处理，其中所述铟醇盐是铟（III）‑醇盐，和所述的无水组合物指的是那些含水量低于200ppm的组合物。2.按照权利要求1的方法，其特征在于，铟（Ⅲ）‑醇盐是具有至少一个C1～C15‑烷氧基或氧烷基烷氧基基团的醇盐。3.按照权利要求2的方法，其特征在于，铟（Ⅲ）‑醇盐是通式In(OR)₃的醇盐，在该式中R是C1～C15‑烷基‑或烷基氧烷基基团。4.按照权利要求3的方法，其特征在于，铟（Ⅲ）‑醇盐In(OR)₃是In(OCH₃)₃，In(OCH₂CH₃)₃，In(OCH₂CH₂OCH₃)₃，In(OCH(CH₃)₂)₃或In(O(CH₃)₃)₃。5.按照权利要求1－4之一项的方法，其特征在于，基于组合物的总质量计，铟醇盐的含量为1～15重量%。6.按照前述权利要求1－4之一项的方法，其特征在于，至少一种溶剂是质子惰性溶剂和弱质子溶剂。7.按照权利要求6的方法，其特征在于，至少一种溶剂是异丙醇，四氢糠醇，叔丁醇或甲苯。8.按照权利要求1－4之一项的方法，其特征在于，组合物的粘度为1mPa.s～10Pa.s。9.按照权利要求1－4之一项的方法，其特征在于，衬底是由玻璃，硅，二氧化硅，金属氧化物或过渡金属氧化物或者聚合材料组成。10.按照权利要求1－4之一项的方法，其特征在于，用印刷方法，喷射方法，旋涂方法或浸液镀层法进行涂覆。11.按照权利要求1－4之一项的方法，其特征在于，在250℃～360℃温度下进行热处理。12.可按照权利要求1‑11中的方法制造的氧化铟‑层。13.按照权利要求12的至少一个氧化铟‑层的用途，用于制造电子元件。