发明名称 一种惰性气体磁式质谱仪及设计方法
摘要 本发明公开了一种惰性气体磁式质谱仪及设计方法,该质谱仪包括离子源、磁铁、真空系统、接收器、信号处理器和控制器,所述离子源对送入的样品气体进行电子轰击以产生离子束,所述离子束经过所述磁铁形成的磁场后由所述接收器接收,所述信号处理器接收所述接收器的输出信号并对其进行处理,所述磁铁采用非对称结构的磁铁,由于质谱仪中的磁铁采用了非对称结构,因此在保证相同分辨率的前提下,与采用对称结构相比较,非对称结构可以采用更小尺寸的磁铁,使得更小体积的惰性气体磁式质谱仪能够得以实现,进而能够降低质谱仪的本底干扰,获得更高的分析灵敏度。
申请公布号 CN103367091B 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201310299609.9 申请日期 2013.07.17
申请人 中国科学院地质与地球物理研究所 发明人 黄超
分类号 H01J49/20(2006.01)I;H01J49/30(2006.01)I 主分类号 H01J49/20(2006.01)I
代理机构 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人 谢亮;武寄萍
主权项 1.一种惰性气体磁式质谱仪的设计方法,其特征在于,该质谱仪包括离子源、磁铁、真空系统、接收器、信号处理器和控制器,所述磁铁采用非对称结构的磁铁,所述采用非对称结构的磁铁的像距l<sub>2</sub>为物距l<sub>1</sub>的N倍,即l<sub>2</sub>=N×l<sub>1</sub>,这里N是大于等于2的正整数;该质谱仪中采用非对称结构的磁铁的设计流程包括以下步骤:步骤1,根据物距与像距计算公式,以及采用非对称结构的磁铁中像距多倍于物距的关系式,得到:<img file="FDA0000480350970000011.GIF" wi="771" he="231" />其中ε′和ε″是分别是入射处和出射处的补偿角,ρ<sub>0</sub>为磁场半径;步骤2,结合共点聚焦的条件公式<img file="FDA0000480350970000012.GIF" wi="379" he="157" />获得<img file="FDA0000480350970000016.GIF" wi="347" he="55" />;其中<img file="FDA0000480350970000017.GIF" wi="42" he="40" />和<img file="FDA0000480350970000018.GIF" wi="52" he="40" />分别是入射处和出射处的偏转角;步骤3,结合公式<img file="FDA0000480350970000019.GIF" wi="234" he="47" />,能计算获得入射处的偏转角<img file="FDA00004803509700000110.GIF" wi="45" he="41" />和出射处的偏转角<img file="FDA00004803509700000111.GIF" wi="51" he="46" />的参数,其中<img file="FDA00004803509700000112.GIF" wi="55" he="46" />是已知参数;步骤4,根据公式<img file="FDA0000480350970000013.GIF" wi="379" he="157" />由两个偏转角<img file="FDA00004803509700000113.GIF" wi="47" he="43" />和<img file="FDA00004803509700000114.GIF" wi="46" he="43" />计算获得入射处的补偿角ε′和出射处的补偿角ε″;步骤5,根据公式<img file="FDA00004803509700000115.GIF" wi="406" he="58" />,获取所述采用非对称结构的磁铁的磁场的横向放大率M<sub>x</sub>;步骤6,在设定出射狭缝的宽度S<sub>2</sub>,能量分散δ<sub>k</sub>,入射狭缝的宽度2x<sub>10</sub>的已知参数数值后,先根据公式<img file="FDA0000480350970000014.GIF" wi="786" he="140" />计算采用对称结构的磁铁的分辨率R,其中ρ<sub>00</sub>为所述采用对称结构的磁铁的磁场半径,M<sub>x0</sub>为-1;然后在保证该分辨率R值不变的前提下,根据公式<img file="FDA0000480350970000015.GIF" wi="666" he="140" />计算所述采用非对称结构的磁铁的磁场半径ρ<sub>0</sub>;步骤7,根据入射处的偏转角<img file="FDA00004803509700000116.GIF" wi="43" he="41" />、出射处的偏转角<img file="FDA00004803509700000117.GIF" wi="51" he="42" />、入射处的补偿角ε′、出射处的补偿角ε″和所述磁场半径ρ<sub>0</sub>来设计所述采用非对称结构的磁铁的结构。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路19号