| 发明名称 | 高强度高导电性铜合金 | ||
| 摘要 | 本发明提供高强度高导电性铜合金，该高强度高导电性铜合金含有大于1.0质量%且小于4质量%的Mg和大于0.1质量%且小于5质量%的Sn，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质，Mg含量与Sn含量的质量比Mg/Sn为0.4以上。该高强度高导电性铜合金还可以进一步含有大于0.1质量%且小于7质量%的Ni。 | ||
| 申请公布号 | CN102666888B | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201180004865.X | 申请日期 | 2011.01.06 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 牧一诚;伊藤优树 |
| 分类号 | C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I | 主分类号 | C22C9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种高强度高导电性铜合金，其特征在于，含有:大于1.0质量%且小于4质量%的Mg、和大于0.1质量%且小于5质量%的Sn，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质，Mg含量与Sn含量的质量比Mg/Sn为0.4以上，(Cu,Sn)<sub>2</sub>Mg或Cu<sub>4</sub>MgSn的析出物分散到铜的母相中。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||