阵列基板及其制造方法

摘要

阵列基板及其制造方法。一种阵列基板包括：氧化物半导体层；蚀刻阻止件，其包括将氧化物半导体层的两个侧面中的每一个侧面露出的第一接触孔；彼此隔开的源极和漏极，氧化物半导体层位于源极与漏极之间；包括接触孔的第一钝化层，接触孔将氧化物半导体层的两个端部中的每一个端部以及源极和漏极的分别与氧化物半导体层的两个端部相对的每一个端部露出；以及连接图案，其在所述第二接触孔处与源极和漏极中的每一个以及氧化物半导体层相接触。

主权项

一种阵列基板，该阵列基板包括：栅极，其连接到选通线；栅绝缘层，其位于所述栅极上；氧化物半导体层，其位于所述栅绝缘层上，并且露出所述栅绝缘层的两个侧面；蚀刻阻止件，其位于所述氧化物半导体层上以及整个所述基板上，所述蚀刻阻止件包括将所述氧化物半导体层的两个侧面中的每一个侧面露出的第一接触孔；源极、漏极和像素电极，它们位于所述蚀刻阻止件上，其中，所述源极和所述漏极彼此隔开，所述氧化物半导体层位于所述源极和所述漏极之间，其中，所述像素电极连接到所述漏极；第一钝化层，其位于所述源极、所述漏极和所述像素电极上以及整个所述基板上，所述第一钝化层包括完全与所述第一接触孔交叠的第二接触孔，所述第二接触孔的面积大于所述第一接触孔的面积，所述第二接触孔将所述源极和所述漏极的分别与所述氧化物半导体层的两个端部相对的两个端部中的每一个端部露出；以及连接图案，其分别与所述氧化物半导体层以及所述源极和所述漏极相接触。