| 发明名称 | 一种光刻胶去除剂 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。该低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)季铵氢氧化物(b)醇胺(c)糖或糖醇(d)表面活性剂以及(e)溶剂。该低蚀刻性的光刻胶清洗剂能够高效的去除半导体晶圆上的光刻胶，同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN103869636A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210546307.2 | 申请日期 | 2012.12.17 |
| 申请人 | 安集微电子科技（上海）有限公司 | 发明人 | 刘兵;彭洪修;孙广胜;颜金荔 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 一种光刻胶去除剂，其包含：季铵氢氧化物，醇胺，糖和/或糖醇，表面活性剂以及溶剂。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层 | ||