| 发明名称 | 具有嵌入式MOS变容二极管的FinFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了半导体器件、FinFET器件以及形成FinFET器件的方法。一种实施例为包括位于衬底上方的第一FinFET的半导体器件，其中所述第一FinFET包括第一组半导体鳍。所述半导体器件还包括位于衬底上方的用于第一FinFET的第一体接触部，其中第一体接触部包括第二组半导体鳍，并且所述第一体接触部横向地与所述第一FinFET相邻。本发明还公开了具有嵌入式MOS变容二极管的鳍式场效应晶体管FinFET及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103872102A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310083982.0 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈万得;陈重辉;洪照俊;康伯坚 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：位于衬底上方的第一FinFET，所述第一FinFET包括第一组半导体鳍；以及位于所述衬底上方的用于所述第一FinFET的第一体接触部，所述第一体接触部包括第二组半导体鳍，并且所述第一体接触部横向地与所述第一FinFET相邻。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||