发明名称 用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法
摘要 本发明公开一种用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法,包括将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积,形成N-Zr-N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积,后氧源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积,后第二次锌源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺,以增加受主元素的掺入量,促进氧化锌薄膜的p型转变。
申请公布号 CN103866267A 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201210531516.X 申请日期 2012.12.11
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 卢维尔;夏洋;李超波;解婧;张阳
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种用于N‑Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括:将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积,形成N‑Zr‑N的共掺;所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积,后氧源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积,后第二次锌源沉积。
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