| 发明名称 | 一种提拉法晶体生长炉 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，包括内部中空而形成炉腔（5）的炉体，置于该炉腔（5）中心的坩埚（2），该坩埚（2）与一同轴置于炉腔（5）内的籽晶杆（4）相连，用于在坩埚（3）内生长晶体（3）；其特征在于，位于所述坩埚（2）上部的所述炉腔（2）内壁具有一定锥度，形成圆台筒体结构。本实用新型的生长炉可以有效控制提拉法炉腔中流动传热的三维效应，在晶体周围组织较好的温度环境，同时使得晶体生长过程中固液界面处在较好的温度梯度。这种新型的炉腔结构能够减小晶体生长过程中位错或者破裂的产生，提高晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN203653745U | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201320881358.0 | 申请日期 | 2013.12.28 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 方海生;金泽林;王森;赵超杰;张梦洁;张之 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 朱仁玲 |
| 主权项 | 一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，包括内部中空而形成炉腔（5）的炉体，置于该炉腔（5）中心的坩埚（2），该坩埚（2）与一同轴置于炉腔（5）内的籽晶杆（4）相连，用于在坩埚（3）内生长晶体（3）；其特征在于，位于所述坩埚（2）上部的所述炉腔（2）内壁具有一定锥度，形成圆台筒体结构。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||