具有穿透主体的传导通路的封装式集成电路装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种装置(400)，其包括：至少一个集成电路裸片(12)，其至少一部分定位于包封材料主体(20)中；以及至少一个传导通路(32、34)，其延伸穿过所述包封材料主体。

主权项

一种半导体装置，其包含：第一子组合件及第二子组合件，所述第一子组合件及所述第二子组合件中的每一者具有前侧和后侧，所述第一子组合件的后侧和所述第二子组合件的后侧面向彼此，所述第一子组合件及所述第二子组合件中的每一者具有：包封材料；集成电路裸片，其嵌入所述包封材料中，所述集成电路裸片具有与所述第一子组合件的前侧或所述第二子组合件的前侧大致平齐的有源表面以及嵌入所述包封材料中的后表面；传导线路，其位于所述第一子组合件的前侧上和所述第二子组合件的前侧上，以及所述集成电路裸片的有源表面上；粘合材料，其位于所述第一子组合件的后侧与所述第二子组合件的后侧之间，并在所述第一子组合件的后侧和所述第二子组合件的后侧直接接触所述包封材料；及传导通路，其从所述第一子组合件的前侧延伸穿过所述粘合材料，到达所述第二子组合件的前侧，所述传导通路直接接触所述第一子组合件的传导线路和所述第二子组合件的传导线路。