| 发明名称 | 一种深孔硅刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种深孔硅刻蚀方法，其在等离子体刻蚀腔室中进行，其中，包括如下步骤：步骤(a)，提供一硅衬底，供应第一气体至所述腔室，并在所述硅衬底上沉积图形化的光刻胶层，形成开口；步骤(b)，在所述开口的底部和侧壁以及光刻胶层上沉积氧化层；步骤(c)，供应第二气体至所述腔室，以所述氧化层和所述光刻胶层为掩膜继续刻蚀所述硅衬底至预定深度。本发明能够改善硅通孔的侧壁图形，并且改善侧壁凹陷的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN103871956A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210528536.1 | 申请日期 | 2012.12.10 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 陶铮;松尾裕史;傅远;许颂临;尹志尧 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种在等离子体刻蚀腔室中进行的深孔硅刻蚀方法，其中，包括如下步骤：步骤(a)，提供一硅衬底，供应第一气体至所述腔室，并在所述硅衬底上沉积图形化的光刻胶层，形成开口；步骤(b)，在所述开口的底部和侧壁以及光刻胶层上沉积氧化层；步骤(c)，供应第二气体至所述腔室，以所述氧化层和所述光刻胶层为掩膜继续刻蚀所述硅衬底至预定深度。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||