| 发明名称 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成正面结构和背面结构，所述正面结构包括栅极结构；在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。本发明所述技术方案仅在IGBT的栅极结构以外的区域形成分布均匀的杂质缺陷，一方面，避免了由于栅极结构存在杂质缺陷导致IGBT的阈值降低，从而避免了IGBT易受外界信号干扰的问题；另一方面，避免了由于栅极结构存在杂质缺陷导致的IGBT的漏电流增大，从而避免了由于漏电流增大导致的器件易烧坏、寿命短的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103871877A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210526416.8 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 吴振兴;朱阳军;谈景飞;胡爱斌;喻巧群;陈宏;赵佳;陆江;田晓丽 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成正面结构和背面结构，所述正面结构包括栅极结构；在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。 | ||
| 地址 | 200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室 | ||