发明名称 | 一种获得IGBT器件热阻的系统和方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种获得IGBT器件热阻的系统和方法,属于大功率器件的技术领域。本系统包括建模模块、网格划分模块、施加条件模块、温度分布模块和计算热阻模块;建模模块根据IGBT器件的组件的特性参数建立三维模型;网格划分模块将三维模型进行划分网格;施加条件模块对IGBT器件施加载荷和边界条件;温度分布模块对IGBT器件的三维模型进行温度求解,得到IGBT器件的芯片上表面温度和导热硅脂下表面的温度;计算热阻模块得到IGBT器件的稳态热阻。本发明可以对影响热分布的诸多因素进行计算机模拟,计算结果通过图形化显示直观的温度场分布。 | ||
申请公布号 | CN103870612A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
申请号 | CN201210525856.1 | 申请日期 | 2012.12.07 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 董少华;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
主权项 | 一种获得IGBT器件热阻的系统,其特征在于,包括建模模块、网格划分模块、施加条件模块、温度分布模块和计算热阻模块;其中,所述建模模块根据IGBT器件的组件的特性参数建立三维模型;所述网格划分模块将所述三维模型进行划分网格;所述施加条件模块对所述IGBT器件施加载荷和边界条件;所述温度分布模块根据所述施加载荷和边界条件和所述划分网格,对所述IGBT器件的三维模型进行温度求解,得到所述IGBT器件的芯片上表面温度和导热硅脂下表面的温度;所述计算热阻模块根据所述施加载荷和边界条件、所述IGBT器件的芯片上表面温度和所述导热硅脂下表面的温度,得到所述IGBT器件的稳态热阻。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |