一种制备氮掺杂石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种新型制备氮掺杂石墨烯的新方法，是通过以下工艺过程实现的：将经过表面去污处理的商业购买的SiC晶片置于高温管式炉的中心位置，密闭管式炉，在Ar气保护下加热到1500^oC后，通入200sccm的NH₃反应15-120min，随后在Ar气保护下冷却至室温，在SiC晶片的表面得到了氮掺杂的石墨烯。本发明的特点是：在常压、氨气环境下在SiC晶片表面一步得到了氮掺杂的石墨烯，氮掺杂的石墨烯可作为一种优异的光电材料。

主权项

一种常压高温氨气环境下制作氮掺杂石墨烯的新方法，其特征在于样品的制备是在常压氨气的环境下进行，并且通过以下工艺过程实现：将商业购买的碳化硅单晶片表面去污后将晶片放在石墨垫片上，随后放入高温管式炉内一定位置，密封高温管式炉，然后在Ar氛围中将高温管式炉升温至预设温度，停止通Ar，转为通入预定流量的NH₃，反应15‑120min，最后在Ar保护下自然冷却至室温，在SiC晶片表面得到氮掺杂的石墨烯。