| 发明名称 | 互连线结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种互连线结构及其形成方法。其中，所述互连线结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个分立的互连线，相邻所述互连线之间为沟槽；形成第一层间介质层覆盖所述互连线，所述第一层间介质层部分填充所述沟槽直至形成开口；形成第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层，所述开口被所述第二层间介质层密封形成空气隙；对所述第二层间介质层进行平坦化。通过所述形成方法形成的互连线结构质量提高，并且所述形成方法工艺简单，工艺成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN103871964A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201410088052.9 | 申请日期 | 2014.03.11 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 蒙飞;李乐 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张亚利;骆苏华 |
| 主权项 | 一种互连线结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个分立的互连线，相邻所述互连线之间为沟槽；形成第一层间介质层覆盖所述互连线，所述第一层间介质层部分填充所述沟槽直至形成开口；形成第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层，所述开口被所述第二层间介质层密封形成空气隙；对所述第二层间介质层进行平坦化。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||