发明名称 一种激光直接成形超细柱状晶定向生长的方法
摘要 本发明公开了一种激光直接成形超细柱状晶定向生长的方法,其特征在于,采用定向凝固基板加热方式,同时在工艺上采用小功率、小的单层提升量,控制激光直接成形柱状晶定向生长,解决了激光直接成形定向凝固技术中存在的部分柱状晶定向生长不连续或转向生长的问题。采用基板加热的方式,虽然适当降低了激光熔池内的温度梯度,但依然控制柱状晶定向生长区间保持足够大的正温度梯度,满足柱状晶生长所需的过冷度。而且基板加热使熔池温度升高,熔池的表面张力减小,整个熔池形态更加平铺,更有利于柱状晶的生长。为激光直接成形制备不同尺寸和形状的定向凝固组织的金属零件提供了技术基础。
申请公布号 CN103862042A 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201410060634.6 申请日期 2014.02.21
申请人 西安交通大学 发明人 张安峰;李涤尘;张海洋;齐宝路;师博飞
分类号 B22F3/105(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 主分类号 B22F3/105(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 朱海临
主权项 一种激光直接成形超细柱状晶定向生长的方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)在激光直接成形系统中,先将定向凝固基板加热到500‑700℃;(2)采用激光功率小于200W、Z轴单层提升量小于0.1mm,在加热的定向凝固基板上进行激光多道多层合金试样成形,扫描方式为填充扫描;(3)对所成形的合金试样进行线切割、镶嵌、研磨、抛光、腐蚀,最后在数字光学显微镜下观察金相组织,记录定向柱晶组织生长状况。
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