发明名称 |
压电薄膜谐振器 |
摘要 |
本发明涉及一种压电薄膜谐振器,所述压电薄膜谐振器包括:基板;压电膜,所述压电膜设置在所述基板上,并且包括第一膜和第二膜,所述第一膜由含有添加元素的氮化铝膜制成,所述第二膜设置在所述第一膜的上表面和下表面上,并由以低于第一膜的浓度含有所述添加元素的氮化铝膜制成;和下电极和上电极,所述上电极和下电极设置成夹持所述压电膜。 |
申请公布号 |
CN103873009A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201310692927.1 |
申请日期 |
2013.12.17 |
申请人 |
太阳诱电株式会社 |
发明人 |
恩田阳介 |
分类号 |
H03H9/17(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/17(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
庞东成;解延雷 |
主权项 |
一种压电薄膜谐振器,所述压电薄膜谐振器包括:基板;压电膜,所述压电膜设置在所述基板上,并且包括第一膜和第二膜,所述第一膜由含有添加元素的氮化铝膜制成,所述第二膜设置在所述第一膜的上表面和下表面上,并由以低于所述第一膜的浓度含有所述添加元素的氮化铝膜制成;和下电极和上电极,所述上电极和下电极设置成夹持所述压电膜。 |
地址 |
日本东京都 |