发明名称 多晶硅锭表面预处理装置及其处理方法
摘要 本发明公开了一种多晶硅锭表面预处理装置及其处理方法,解决了现有技术存在的环境粉尘污染严重,表面清理质量和效率均低下的问题。包括在预处理池支架(4)上依次设置有腐蚀池(5)、超声波浸泡池(7)和漂洗喷淋池(8),在腐蚀池(5)的长方体形腐蚀池体(9)的底面设置有排液管路(14),在排液管路(14)上设置有排液控制阀(15),在长方体形腐蚀池体(9)的左右两侧面底部均设置有池底凹槽(10),在池底凹槽(10)中设置有电加热器(11),在长方体形腐蚀池体(9)的内侧壁上分别设置有酸液输入管(12)、碱液输入管(13)、纯净水输入管(17)和压缩空气输入管(18)。提高了硅锭的开方质量和边料的回用率。
申请公布号 CN103866397A 申请公布日期 2014.06.18
申请号 CN201410107702.X 申请日期 2014.03.23
申请人 山西中电科新能源技术有限公司 发明人 张军彦;周社柱;杜海文;陈国红;张瑾
分类号 C30B33/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B33/10(2006.01)I
代理机构 太原华弈知识产权代理事务所 14108 代理人 李毅
主权项 一种多晶硅锭表面预处理装置,包括龙门吊导轨(1),在龙门吊导轨(1)上设置有龙门吊(2),在龙门吊(2)上设置有硅锭吊具(3),在龙门吊导轨(1)的一侧设置有预处理池支架(4),在预处理池支架(4)上依次设置有腐蚀池(5)、超声波浸泡池(7)和漂洗喷淋池(8),其特征在于,在腐蚀池(5)的长方体形腐蚀池体(9)的底面中央设置有排液管路(14),在排液管路(14)上设置有排液控制阀(15),在长方体形腐蚀池体(9)的左右两内侧面底部均设置有池底凹槽(10),在池底凹槽(10)中设置有电加热器(11),在长方体形腐蚀池体(9)内分别连通有酸液输入管(12)、碱液输入管(13)、净水输入管(17)和压缩空气输入管(18),在长方体形腐蚀池体(9)的底面上设置有硅锭支撑台(16)。
地址 030032 山西省太原市小店区经济技术开发区唐槐路5号