Resistiver Direktzugriffsspeicher (RRAM) und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Die vorliegende Offenbarung gibt eine resistive Direktzugriffsspeicher-(RRAM)-Zelle und ein Verfahren zu Herstellung derselben an. Die RRAM-Zelle umfasst einen Transistor und eine RRAM-Struktur, die elektrisch mit dem Transistor verbunden ist. Die RRAM-Struktur umfasst eine untere Elektrode, die einen Kontaktloch-Teil und einen oberen Teil aufweist, eine Schicht aus resistivem Material über der unteren Elektrode, die dieselbe Breite hat wie der obere Teil der unteren Elektrode, und eine obere Elektrode über der Schicht aus resistivem Material, die eine kleinere Breite hat als die Schicht aus resistivem Material.