| 发明名称 |
掺镱硼酸镧镁激光晶体及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种掺镱硼酸镧镁（Yb<sup>3+</sup>:LaMgB<sub>5</sub>O<sub>10</sub>）激光晶体及其生长方法。该晶体属于单斜晶系，P21/c空间群，晶胞参数：<img file="DDA0000485743240000011.GIF" wi="824" he="72" />β=131.52°,<img file="DDA0000485743240000012.GIF" wi="326" he="66" />Z=4，D<sub>c</sub>=3.92g/cm<sup>3</sup>。该晶体可采用助熔剂法生长，以Li<sub>2</sub>O-B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-LiF为混合助熔剂，生长温度900-980℃之间，降温速率为0.5-3℃/天，转速为5-30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Yb<sup>3+</sup>:LaMgB<sub>5</sub>O<sub>10</sub>单晶。该晶体呈现出较宽的吸收和发射谱带。该晶体可成为一种新的超短脉冲激光晶体，并获得实际应用。 |
| 申请公布号 |
CN103866387A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
| 申请号 |
CN201410130054.X |
申请日期 |
2014.04.01 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
黄溢声;王国富;林州斌;张莉珍;孙士家 |
| 分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种掺镱硼酸镧镁激光晶体，其特征在于：所述晶体的分子式为Yb<sup>3+</sup>:LaMgB<sub>5</sub>O<sub>10</sub>，属于单斜晶系，P21/c空间群结构，晶胞参数为<img file="FDA0000485743220000011.GIF" wi="280" he="69" /><img file="FDA0000485743220000012.GIF" wi="597" he="75" />β=131.52°，<img file="FDA0000485743220000013.GIF" wi="328" he="69" />Z=4，D<sub>c</sub>=3.92g/cm<sup>3</sup>。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
