发明名称 |
记忆体阵列以及记忆体装置 |
摘要 |
本发明是有关于一种记忆体阵列以及记忆体装置。该记忆体装置,包括:一基底、多个字线、多个导电区以及至少一遮蔽插塞。基底上配置字线,且配置至少一虚拟字线邻近该些字线。导电区则位于基底中且分别介于该些字线之间。遮蔽插塞位于基底上并且邻近虚拟字线,并介于虚拟字线与该些字线之间,并且在虚拟字线周围并未配置任何自行对准源极区。 |
申请公布号 |
CN101800073B |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN200910137300.3 |
申请日期 |
2009.05.05 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
罗俊元;易成名;吕文彬 |
分类号 |
G11C8/14(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
G11C8/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种记忆体阵列,其特征在于其包括:多个字线,在该些字线之间配置多个导电区,该些导电区包括多个漏极区与多个源极区,且该些漏极区与该些源极区在该记忆体阵列中的该些字线之间交替配置;一虚拟字线,位于该记忆体阵列的一边缘,该虚拟字线仅在其与该些字线之间的一侧配置有一漏极区,没有任何源极区直接配置于该虚拟字线的周围;以及多个遮蔽插塞,邻近该虚拟字线且位于该虚拟字线与该些字线之间。 |
地址 |
中国台湾新竹 |