| 发明名称 | 超结器件和包括所述超结器件的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及超结器件和包括所述超结器件的半导体结构。所述超结器件包括：第一导电类型的漏区；第一导电类型的源区；位于所述漏区和所述源区之间的漂移区，所述漂移区由第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区沿所述漂移区的宽度方向交替排列而构成；位于所述源区和所述漂移区之间的第二导电类型的体区；和从所述体区的一个表面延伸进入所述漂移区中的多个沟槽。在所述多个沟槽的至少两个沟槽中插入第一源电极和第一栅电极。通过实施根据本实用新型的超结器件，能够根据需求来调整超结器件的栅-漏电容C<sub>GD</sub>或栅-源电容C<sub>GS</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN203659876U | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201320674963.0 | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;A.毛德 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种超结器件，包括：第一导电类型的漏区；第一导电类型的源区；位于所述漏区和所述源区之间的漂移区，所述漂移区由第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区沿所述漂移区的宽度方向交替排列而构成；位于所述源区和所述漂移区之间的第二导电类型的体区；和从所述体区的一个表面延伸进入所述漂移区中的多个沟槽；其特征在于，在所述多个沟槽的至少两个沟槽中插入第一源电极和第一栅电极。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||