| 发明名称 | 原子层沉积制备Te-N共掺的氧化锌薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种原子层沉积制备Te-N共掺的氧化锌薄膜的方法，其包括将衬底进行清洗和表面前处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；对衬底、管道及腔室进行加热；然后依次分别进行锌源、掺杂N源、掺杂源Te和氧源的沉积。本发明提供的原子层沉积制备Te-N共掺的氧化锌薄膜的方法，通过ALD逐层循环的生长方式生长Te-N共掺的氧化锌薄膜，而且方法简单，利用原子层沉积单层循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中进行掺杂，共掺后的氧化锌薄膜，有利于促进p型电导的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103866269A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210531986.6 | 申请日期 | 2012.12.11 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 卢维尔;夏洋;李超波;董亚斌;李楠 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种原子层沉积制备Te‑N共掺的氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括：将衬底进行清洗和表面前处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；对衬底、管道及腔室进行加热；然后依次分别进行锌源、掺杂N源、掺杂源Te和氧源的沉积。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||