发明名称 |
穿晶片通路设备以及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种穿晶片通路设备(10),包括晶片(12),所述晶片(12)由晶片材料制成并且具有第一晶片表面(12a)和与所述第一晶片表面(12a)相对的第二晶片表面(12b)。所述穿晶片通路设备(10)还包括多个并排的第一沟槽(14),所述第一沟槽(14)被提供有导电材料并且从所述第一晶片表面(12a)延伸到所述晶片(12)中,使得在各所述第一沟槽(14)之间形成所述晶片材料的多个间隔(16)。所述穿晶片通路设备(10)还包括第二沟槽(18),所述第二沟槽(18)被提供有所述导电材料并且从所述第二晶片表面(12b)延伸到所述晶片(12)中,所述第二沟槽(18)被连接到所述第一沟槽(14)。所述穿晶片通路设备(10)还包括导电层(20),所述导电层(20)由所述导电材料制成,并且被形成在所述第一晶片表面(12a)的侧部上,所述导电材料填充所述第一沟槽(14),使得第一导电层(20)具有基本上平面且封闭的表面。 |
申请公布号 |
CN103875068A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201280050826.8 |
申请日期 |
2012.10.12 |
申请人 |
皇家飞利浦有限公司 |
发明人 |
R·德克尔;B·马赛利斯;M·米尔德;R·毛奇斯措克 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
刘瑜;王英 |
主权项 |
一种穿晶片通路设备(10),包括:‑晶片(12),其由晶片材料制成并且具有第一晶片表面(12a)和与所述第一晶片表面(12a)相对的第二晶片表面(12b),‑多个并排的第一沟槽(14),其被提供有导电材料并且从所述第一晶片表面(12a)延伸到所述晶片(12)中,使得在各所述第一沟槽(14)之间形成所述晶片材料的多个间隔(16),‑第二沟槽(18),其被提供有所述导电材料并且从所述第二晶片表面(12b)延伸到所述晶片(12)中,所述第二沟槽(18)被连接到所述第一沟槽(14),‑导电层(20),其由导电材料制成,并且被形成在所述第一晶片表面(12a)的侧部上,所述导电材料填充所述第一沟槽(14),使得第一导电层(20)具有基本上平面且封闭的表面。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |