| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括形成在从半导体衬底延伸的结构的侧壁上的栅电极。结区被形成在所述结构中从所述结构的顶部至第一深度处，并且被形成为与栅电极重叠。保护层被形成在所述结构的外壁和栅电极之间从所述结构的顶部至比第一深度小的第二深度处。 | ||
| 申请公布号 | CN103872129A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310246407.8 | 申请日期 | 2013.06.20 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李章旭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 许伟群;俞波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅电极，所述栅电极形成在从半导体衬底延伸的结构的侧壁上；结区，所述结区被形成在所述结构中，从所述结构的顶部至第一深度处，并且被形成为与所述栅电极重叠；以及保护层，所述保护层被形成在所述结构的外壁和所述栅电极之间，从所述结构的顶部至比第一深度小的第二深度处。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||