PECVD设备

摘要

本发明提出一种PECVD设备，包括：腔体，晶片托架，多个射频电极，传输装置和升降装置。具体地，所述腔体上设有进气口和出气口，所述腔体设有第一传输口和第二传输口；所述晶片托架包括沿前后方向间隔布置且竖直放置的多个载板，所述晶片托架在所述反应腔内沿竖向在上部位置和下部位置之间可移动；所述多个射频电极设在所述反应腔的顶部且垂直于顶面放置，所述多个射频电极沿前后方向间隔布置，且在所述晶片托架位于所述反应腔的上部位置时所述多个射频电极分别对应地插入到相邻载板之间。根据本发明的PECVD设备，增加设备的产能，而且降低设备的占地面积，降低设备加工的难度和成本，削弱射频电极上的驻波效应,提高膜的表面质量。

主权项

一种PECVD设备，其特征在于，包括：腔体，所述腔体内具有反应腔，所述腔体上设有进气口和出气口，所述腔体的左侧壁设有第一传输口而右侧壁上设有与所述第一传输口相对的第二传输口；晶片托架，所述晶片托架包括沿前后方向间隔布置且竖直放置的多个载板，所述晶片托架在所述反应腔内沿竖向在上部位置和下部位置之间可移动；多个射频电极，所述多个射频电极设在所述反应腔的顶部且垂直于顶面放置，所述多个射频电极沿前后方向间隔布置，且在所述晶片托架位于所述上部位置时所述多个射频电极分别对应地插入到相邻载板之间，使得工艺气体在所述载板与相邻的射频电极之间被激发成等离子体；传输装置，所述传输装置设在所述反应腔的底部，用于通过所述第一和第二传输口将所述晶片托架传入和传出所述反应腔；和升降装置，所述升降装置与地连接，所述升降装置用于在所述反应腔内升降所述晶片托架。