| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体装置的方法。该方法包含：提供一半导体基底；形成一栅极结构于该基底之上，其中该栅极结构包含一虚置栅极；由该栅极结构移除该虚置栅极以形成一沟槽；形成一功函数金属层部分填入该沟槽；形成一填充金属层以填满该沟槽的剩余部分；进行一化学机械研磨(CMP)以移除在该沟槽之外的该填充金属层；以及，注入硅、碳、及锗之一于该填充金属层的剩余部分。本发明能够改善金属栅极的热及形态的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102194681B | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201010243831.3 | 申请日期 | 2010.08.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 周汉源;朱鸣;张立伟;庄学理;陈意仁 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，包含： 提供一半导体基底； 形成一栅极结构于该基底之上，其中该栅极结构包含一虚置栅极； 由该栅极结构移除该虚置栅极以形成一沟槽； 形成一功函数金属层部分填入该沟槽； 形成一填充金属层以填满该沟槽的剩余部分，其中该填充金属层为一铝层； 进行一化学机械研磨以移除在该沟槽之外的该填充金属层；以及 注入硅、及锗之一于该填充金属层的剩余部分，其中硅、或锗在填充金属层内所占的百分比介于1E‑5至1E‑8间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||