| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：具有第一和第二表面的半导体本体；位于半导体本体的第一表面处的第一导电类型的源区；第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，分别沿从所述半导体本体的所述第一表面延伸到所述半导体本体的所述第二表面的方向；源区和第一区之间的第二导电类型的体区，其中至少第二区接触体区，第一区和第二区在半导体本体中交替排列；第一导电类型的半导体基础层，其至少一部分在半导体本体中位于第一和第二区下面；位于半导体基础层下面的第一导电类型的漏区。第一导电类型的半导体基础层的位于第一和第二区下面的部分的厚度至少大于第一区的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN203659878U | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201320675263.3 | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | A.维尔梅罗特;W.凯因德尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：具有第一和第二表面的半导体本体；位于所述半导体本体的第一表面处的第一导电类型的源区；第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，分别沿从所述半导体本体的所述第一表面延伸到所述半导体本体的所述第二表面的方向；位于所述源区和所述第一区之间的第二导电类型的体区，其中至少所述第二区接触所述体区，所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区在所述半导体本体中交替排列；第一导电类型的半导体基础层，所述半导体基础层的至少一部分在所述半导体本体中位于所述第一和第二区下面；以及位于所述半导体基础层下面的第一导电类型的漏区，其特征在于，所述第一导电类型的半导体基础层的位于所述第一和第二区下面的所述部分的厚度至少大于所述第一导电类型的第一区的宽度。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||