LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片

摘要

本实用新型提供了一种LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片。LED芯片包括：衬底、形成于衬底的顶面上的N型GaN层、形成于N型GaN层的顶面上的多量子阱层、形成于多量子阱层的顶面上的P型GaN层；N型GaN层包括第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽包括N型电极；第二凹槽包括绝缘隔离层、透明导电层、P型电极；绝缘隔离层延伸至P型GaN层的顶面上；透明导电层延伸至绝缘隔离层外缘与P型GaN层顶面外缘之间。阵列式LED芯片，包括衬底和形成于衬底的顶面上的多个单元，多个单元结构相同，单元结构为上述LED芯片结构。

主权项

一种LED芯片，包括：衬底(1)、形成于所述衬底(1)的顶面上的N型GaN层(2)、形成于所述N型GaN层(2)的顶面上的多量子阱层(3)、形成于所述多量子阱层(3)的顶面上的P型GaN层(4)；其特征在于，所述N型GaN层(2)包括形成于所述N型GaN层(2)顶面上位置相间的第一凹槽(21)和第二凹槽(22)；所述第一凹槽(21)包括N型电极(8)，所述N型电极(8)形成于所述第一凹槽(21)的顶面上；所述第二凹槽(22)包括绝缘隔离层(5)、透明导电层(6)、P型电极(7)，所述绝缘隔离层(5)形成于所述第二凹槽(22)的槽底顶面上，所述透明导电层(6)形成于所述绝缘隔离层(5)上，所述P型电极(7)形成于所述透明导电层(6)的顶面上；所述绝缘隔离层(5)延伸至所述P型GaN层(4)的顶面上；所述透明导电层(6)延伸至所述绝缘隔离层(5)外缘与所述P型GaN层(4)顶面外缘之间。