TRANSISTORZELLENANORDNUNG MIT HALBLEITERDIODE

摘要

Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung (1010) umfasst eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung. Die dichte Trenchtransistorzellenanordnung umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109). Eine Breite w3 eines Transistormesabereiches (M) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite w1 eines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) erfüllen die folgende Beziehung: w3 < 1,5 × w1. Die Halbleitervorrichtung (1010) umfasst außerdem Halbleiterdioden (D). Wenigstens eine der Halbleiterdioden (D) ist zwischen ersten und zweiten Teilen der Vielzahl von Transistorzellen (C) angeordnet und umfasst einen Diodenmesabereich, der an entgegengesetzte Wände (105, 106) von zweiten Trenches (108) angrenzt. Eine Tiefe d1 des ersten Trenches (110) und eine Tiefe d2 des zweiten Trenches (108) weichen um wenigstens 20% ab.