半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供同时实现低热阻化以及高密度化、耐热性优异的半导体装置及其制造方法。上述半导体装置具备：在背面具有多个外部端子、在表面具有与多个外部端子电连接的多个键合端子的基板；搭载在基板的表面上，且在表面具有多个键合焊盘的半导体芯片；对多个键合焊盘之间或者多个键合端子与多个键合焊盘之间分别进行连接的多个键合线；对基板的表面、多个键合线以及半导体芯片进行密封的第一密封层；以及形成在第一密封层上、且比第一密封层的热传导率高的第二密封层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，所述基板在背面具有多个外部端子，在表面具有与所述多个外部端子电连接的多个键合端子；半导体芯片，所述半导体芯片搭载在所述基板的表面上，在所述半导体芯片的表面具有多个键合焊盘；多个键合线，所述多个键合线对所述多个键合焊盘之间或者所述多个键合端子与所述多个键合焊盘之间分别进行连接；第一密封层，所述第一密封层对所述基板的表面、所述多个键合线以及所述半导体芯片进行密封；以及第二密封层，所述第二密封层形成在所述第一密封层上，与所述第一密封层相比热传导率高。