发明名称 |
一种软快恢复二极管及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种软快恢复二极管及其制造方法。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层,背N+缓冲区设置于N型本征区的背面,在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区,在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层,在有源区的边界处设有P型高阻区,在有源区的中心处设有P+欧姆接触层;全局寿命控制区设置于二极管的整体,覆盖二极管的所有结构层;在二极管的轴向方向上,局域寿命控制层位于P型发射区内靠近P+欧姆接触层的位置上,在二极管的垂直于轴向的方向上,局域寿命控制层位于P型发射区和P型高阻区组成的平面内。本发明通过采用全局加局域寿命控制方式,实现器件的软快恢复特性;通过增加高阻区,提高器件的抗雪崩能力。 |
申请公布号 |
CN103872144A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201410081630.6 |
申请日期 |
2014.03.06 |
申请人 |
国家电网公司;国网智能电网研究院;国网北京市电力公司 |
发明人 |
刘钺杨;吴郁;吴迪;何延强;高文玉;金锐;于坤山 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
北京安博达知识产权代理有限公司 11271 |
代理人 |
徐国文 |
主权项 |
一种软快恢复二极管,所述二极管包括N型本征区(01)、背N+缓冲区(02)、阳极金属层(051)以及阴极金属层(052),所述背N+缓冲区(02)设置于N型本征区(01)的背面,所述阳极金属层(051)设置于二极管的阳极;所述阴极金属层(052)设置于二极管的阴极;其特征在于,在所述N型本征区(01)的正面和阳极金属层(051)之间设有P型发射区(13),在所述阳极金属层(051)的两端对称设有掩蔽氧化层,在二极管有源区的边界处设有P型高阻区(18),在有源区的中心处设有P+欧姆接触层(19);全局寿命控制区(16)设置于二极管的整体,覆盖二极管的所有结构层;在二极管的轴向方向上,所述局域寿命控制层(17)位于P型发射区(13)内靠近P+欧姆接触层(19)的位置上,在二极管的垂直于轴向的方向上,局域寿命控制层(17)位于P型发射区(13)和P型高阻区(18)组成的平面内,避免局域寿命控制层(17)出现在终端区,采用注入挡版挡住终端区以实现区域注入,挡版材质采用光刻板、金属或光刻胶实现。 |
地址 |
100031 北京市西城区西长安街86号 |