| 发明名称 | 一种去除晶圆键合边缘缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种去除晶圆键合边缘缺陷的方法包括步骤：提供待键合的晶圆；利用化学气相淀积的方法，在所述晶圆的键合面淀积一层沉积量为大于1.6TTV的氧化物薄膜；对所述氧化物薄膜进行致密化工艺；对经致密化工艺后的氧化物薄膜进行平坦化工艺，平坦化的研磨量大于0.9TTV，氧化物薄膜的剩余量大于0.4TTV；进行晶圆键合。利用化学气相淀积的方法，在所述晶圆的键合面淀积一层沉积量为大于1.6TTV的氧化物薄膜，并对氧化物薄膜进行平坦化，平坦化的研磨量大于0.9TTV，氧化物薄膜的剩余量大于0.4TTV的工艺参数的设定，克服了晶圆键合后边缘存在缺陷的问题，为后续制程提供较好的基底，进而提高了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103871870A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201410072295.3 | 申请日期 | 2014.02.28 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 胡思平;陈俊 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种去除晶圆键合边缘缺陷的方法，其特征在于，包括步骤：提供待键合的晶圆；利用化学气相淀积的方法，在所述晶圆的键合面淀积一层沉积量为大于1.6TTV的氧化物薄膜；对所述氧化物薄膜进行致密化工艺；对经致密化工艺后的氧化物薄膜进行平坦化工艺，平坦化的研磨量大于0.9TTV，氧化物薄膜的剩余量大于0.4TTV；对上述经过处理的待键合的晶圆进行晶圆键合工艺。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||