| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的栅电极层；与所述栅电极层重叠的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅极绝缘层；以及在所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层，其中，所述氧化物半导体层延伸超过所述源电极层和所述漏电极层的外侧边缘，且其中，所述氧化物半导体层的超过所述源电极层和所述漏电极层的所述外侧边缘定位的端部每个都包括台阶。 | ||
| 申请公布号 | CN103872141A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201410112160.5 | 申请日期 | 2009.10.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 須沢英臣;笹川慎也;村冈大河 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的栅电极层；与所述栅电极层重叠的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅极绝缘层；以及在所述氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层，其中，所述氧化物半导体层延伸超过所述源电极层和所述漏电极层的外侧边缘，且其中，所述氧化物半导体层的超过所述源电极层和所述漏电极层的所述外侧边缘定位的端部每个都包括台阶。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||