可变电阻存储器件及其制造方法

摘要

一种可变电阻存储器件包括具有垂直晶体管的半导体衬底，所述垂直晶体管具有分路栅，所述分路栅增加了垂直晶体管的栅极的面积。

主权项

一种可变电阻存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有长度和宽度；多个垂直晶体管，所述多个垂直晶体管沿着与所述半导体衬底的长度和宽度垂直的方向从所述半导体衬底的表面延伸，所述多个垂直晶体管以固定间隔布置在所述半导体衬底上；可变电阻区，所述可变电阻区形成在所述多个垂直晶体管中的每个垂直晶体管上；以及分路栅，所述分路栅被设置在相邻垂直晶体管之间的空间中，且被配置成与所述多个垂直晶体管中的每个垂直晶体管的栅极电连接。