| 发明名称 | 一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制作方法技术领域，公开了一种带FS层的PT型功率器件的制作方法包括：步骤一：制备衬底；步骤二：从衬底外延出第一N型FS层；步骤三：对第一N型FS层进行局域寿命控制；步骤四：重复步骤二和步骤三，从第一N型FS层外延出多个N型FS层，且N型FS层的掺杂浓度逐层下降，局域寿命控制注入的剂量也逐层下降，使N型FS层的缺陷浓度也逐层下降；步骤五：在N型FS层上外延出N漂移区；步骤六：制备PT型功率器件的正面结构，再对PT型功率器件的背面减薄，并与金属层形成欧姆接触。本发明经过多次外延N型FS层形成一个浓度渐变的厚FS层区域，成功避免了理想FS型功率器件的超薄片制备过程，大大降低了碎片等风险。 | ||
| 申请公布号 | CN103871852A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210543954.8 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 吴振兴;朱阳军;胡爱斌;卢烁今;田晓丽 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种带FS层的PT型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：步骤一：制备衬底；步骤二：从所述衬底外延出第一N型FS层；步骤三：对所述第一N型FS层进行局域寿命控制；步骤四：重复所述步骤二和所述步骤三，从第一N型FS层外延出多个N型FS层，且N型FS层的掺杂浓度逐层下降，所述局域寿命控制注入的剂量也逐层下降，使N型FS层的缺陷浓度也逐层下降；步骤五：在N型FS层上外延出N<sup>‑</sup>漂移区；步骤六：制备PT型功率器件的正面结构，再对所述PT型功率器件的背面减薄，并与金属层形成欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||