发明名称 | 一种二氧化钒薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种二氧化钒薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)将带羟基的羧酸溶解于双氧水中,并用氨水调节溶液的pH值大于7;然后加入硫酸氧钒,获得反应溶液,反应完成后,加入有机溶剂,静置,生成沉淀,分离沉淀,得到钒的过氧配合物;2)将步骤1)所得钒的过氧配合物和添加剂溶解于水中形成水溶液,将所述水溶液镀膜于衬底上,然后在惰性气氛中经热处理后得到二氧化钒薄膜。本发明所提供的二氧化钒薄膜的制备方法,所涉及工艺简单,所得薄膜光学调控性能良好。本发明所制得二氧化钒薄膜可应用于智能温控涂层、光致开关以及存储器等领域。 | ||
申请公布号 | CN102603203B | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
申请号 | CN201110027223.3 | 申请日期 | 2011.01.25 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 高彦峰;刘新玲;康利涛;罗宏杰;金平实 |
分类号 | C03C17/23(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
主权项 | 一种二氧化钒薄膜的制备方法,包括如下步骤: 1)将带羟基的羧酸溶解于双氧水中,并用氨水调节溶液的pH值大于7;然后加入硫酸氧钒,获得反应溶液,反应完成后,加入有机溶剂,静置,生成沉淀,分离沉淀,得到钒的过氧配合物; 2)将步骤1)所得钒的过氧配合物和添加剂溶解于水中形成水溶液,将所述水溶液镀膜于衬底上,然后在惰性气氛中经热处理后得到二氧化钒薄膜; 步骤2)中,所述的添加剂为聚乙烯吡咯烷酮或十六烷基三甲基溴化铵。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 |