半导体工艺及其结构

摘要

本发明是有关于一种半导体工艺，其包含下列步骤：提供硅基板，该硅基板具有导接垫及保护层；形成第一种子层，该第一种子层具有第一区段及第二区段；形成第一光阻层；形成第一缓冲层,该第一缓冲层具有接合部及包埋部；移除该第一光阻层；移除该第一种子层的该第二区段以形成第一凸块下金属层；形成支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该第一凸块下金属层具有第一环壁，该第一缓冲层具有第二环壁，该支撑层包覆该第一环壁、该第二环壁及该包埋部；以及形成导接部且覆盖该第一缓冲层的该接合部。

主权项

一种半导体工艺，其特征在于包含：提供硅基板，该硅基板具有表面、导接垫及保护层，该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；形成第一种子层于该保护层及该导接垫，该第一种子层具有第一区段及位于该第一区段外侧的第二区段；形成第一光阻层于该第一种子层，该第一光阻层形成有第一开槽以显露该第一区段；形成第一缓冲层于该第一开槽，该第一缓冲层覆盖该第种子层的该第一区段，该第一缓冲层具有接合部及包埋部；移除该第一光阻层以显露该第一种子层的该第二区段；移除该第一种子层的该第二区段以使该第一区段形成第一凸块下金属层；形成支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该支撑层具有第二开口且该第二开口显露该第一缓冲层的该接合部，其中该第一凸块下金属层具有第一环壁，该第一缓冲层具有第二环壁，该支撑层包覆该第一凸块下金属层的该第一环壁、该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及形成导接部于该第二开口且覆盖该第一缓冲层的该接合部。